[发明专利]镭射修复方法及镭射修复后基板在审
申请号: | 201710716110.1 | 申请日: | 2017-08-18 |
公开(公告)号: | CN107329292A | 公开(公告)日: | 2017-11-07 |
发明(设计)人: | 欧阳幸;张迎春;黄友健 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/13 | 分类号: | G02F1/13 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人: | 郝传鑫,熊永强 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种镭射修复方法,通过在镭射隔断形成的断口处沉积绝缘层,从而将镭射隔断后可能显露出来的线路通过所述绝缘层与外界进行隔开,在完成所述液晶显示面板的镭射修复后的其它后续制成过程中,使镭射隔断后显露出来的所述线路不至于被腐蚀。并且,通过在镭射熔接处沉积一层导电层,并使所述导电层覆盖所述断路缺陷的断口处,以通过所述导电层连接所述断路缺陷的断口两端的线路,从而在所述镭射熔接层未将断路位置的断口两端的线路连接的情况下,还能实现对所述短路缺陷的修复。 | ||
搜索关键词: | 镭射 修复 方法 后基板 | ||
【主权项】:
一种镭射修复方法,其特征在于,包括:提供一待修复基板,所述修复基板上有短路缺陷和/或断路缺陷;检测发现所述短路缺陷和/或断路缺陷的位置;移动镭射头至所述短路缺陷和/或断路缺陷的位置;通过所述镭射头对所述短路缺陷处进行镭射隔断形成一断口和/或通过所述镭射头对所述断路缺陷处进行镭射熔接;在镭射隔断形成的断口处沉积绝缘层;在所述镭射熔接处沉积一层导电层,所述导电层覆盖所述断路缺陷的断口处。
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