[发明专利]镭射修复方法及镭射修复后基板在审
| 申请号： | 201710716110.1 | 申请日： | 2017-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN107329292A | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 欧阳幸;张迎春;黄友健 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/13 | 分类号： | G02F1/13 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人： | 郝传鑫,熊永强 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 镭射 修复 方法 后基板 | ||
1.一种镭射修复方法，其特征在于，包括：
提供一待修复基板，所述修复基板上有短路缺陷和/或断路缺陷；
检测发现所述短路缺陷和/或断路缺陷的位置；
移动镭射头至所述短路缺陷和/或断路缺陷的位置；
通过所述镭射头对所述短路缺陷处进行镭射隔断形成一断口和/或通过所述镭射头对所述断路缺陷处进行镭射熔接；
在镭射隔断形成的断口处沉积绝缘层；在所述镭射熔接处沉积一层导电层，所述导电层覆盖所述断路缺陷的断口处。
2.如权利要求1所述的镭射修复方法，其特征在于，所述绝缘层的沉积方式为旋涂、气相沉积或脉冲激光沉积中任一种。
3.权利要求1所述的镭射修复方法，其特征在于，所述导电层的沉积方式为电镀、电子束蒸发、脉冲激光沉积中任一种。
4.如权利要求1所述的镭射修复方法，其特征在于，所述绝缘层为无机绝缘材料或者有机聚合物绝缘材料。
5.如权利要求4所述的镭射修复方法，其特征在于，所述绝缘层为聚酰亚胺、聚苯乙烯、二氧化硅中任意一种。
6.如权利要求1所述的镭射修复方法，其特征在于，所述导电层为金属导电材料。
7.如权利要求6所述的镭射修复方法，其特征在于，所述导电层为氢氧化钨或Ag。
8.一种基板，其特征在于，所述基板上有镭射熔接层和/或镭射隔断口，所述镭射熔接层上层叠有导电层，所述镭射隔断口内设有绝缘层。
9.如权利要求8所述的基板，其特征在于，所述导电层为金属导电层。
10.如权利要求8所述的基板，其特征在于，所述绝缘层为无机绝缘层或者有机聚合物绝缘层。
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