[发明专利]具有放大器-MOSFET的集成电路有效
| 申请号： | 201710703215.3 | 申请日： | 2017-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN107769742B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | W·巴卡尔斯基;W·西姆比尔格;A·施特尔滕波尔;H·塔迪肯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/195 | 分类号： | H03F3/195;H03F1/26;H03F3/193 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种集成电路(200)包括衬底、放大器‑MOSFET(100)和偏压端子。偏压端子设置用于产生衬底与放大器‑MOSFET(100)的至少一个负载端子的电势差。衬底的电阻率不小于0.3kOhm cm，所述电势差是‑3V或者更负。由此可以在实例中实现特别是用于高频信号的具有低的信号噪声的放大器。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 放大器 mosfet 集成电路 | ||
【主权项】：
一种集成电路(200)，所述集成电路包括：‑衬底(106)，‑放大器‑MOSFET(100)，以及‑偏压端子(110)，设置用于产生所述衬底(106)相对于所述放大器‑MOSFET(100)的至少一个负载端子(101，102)的电势差，其中，所述衬底(106)的电阻率不小于0.3kOhm cm，其中，所述电势差是‑3V或者更负。
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