[发明专利]透反式液晶显示装置及其制作方法在审
申请号: | 201710703207.9 | 申请日: | 2017-08-16 |
公开(公告)号: | CN107357076A | 公开(公告)日: | 2017-11-17 |
发明(设计)人: | 柳铭岗;林永伦 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1335 | 分类号: | G02F1/1335;G02F1/1343 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种透反式液晶显示装置及其制作方法。该透反式液晶显示装置采用COA及BPS设计,在BPS遮光层的黑色矩阵上设置多个第一凸起,将反射电极设置于BPS遮光层的黑色矩阵上覆盖多个第一凸起而使其上表面形成多个凸面,且使反射电极与像素电极相连接,使装置在对应反射电极的区域形成反射区,而对应像素电极的区域形成透射区,能够在外在光强度较大时提升显示画面的亮度,反射区与透射区的液晶盒厚可通过控制黑色矩阵的厚度进行控制,无需引入额外的绝缘层,结构简单,同时反射区并不占用透射区的面积,不会影响装置的透过率,并且反射区的出光均匀性大大增强,显示品质高。 | ||
搜索关键词: | 反式 液晶 显示装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种透反式液晶显示装置,其特征在于,包括:相对设置的上基板(100)与下基板(200)、及设于上基板(100)与下基板(200)之间的液晶层(300);所述下基板(200)包括第一衬底(210)、设于第一衬底(210)上的TFT阵列层(220)、设于TFT阵列层(220)上的色阻层(230)、覆盖色阻层(230)的平坦层(240)、设于平坦层(240)上的BPS遮光层(250)、设于平坦层(240)上的像素电极(260)、及设于BPS遮光层(250)上的反射电极(270);所述BPS遮光层(250)包括黑色矩阵(251)、设于黑色矩阵(251)上且间隔设置的主隔垫物(252)及辅助隔垫物(253),所述黑色矩阵(251)上在除主隔垫物(252)及辅助隔垫物(253)所在区域以外的区域具有多个第一凸起(2511);所述反射电极(270)设于所述黑色矩阵(251)上且覆盖多个第一凸起(2511)而在其上表面形成多个凸面,所述反射电极(270)与像素电极(260)相连接;所述液晶层(300)对应反射电极(270)的区域的厚度为对应像素电极(260)的区域的厚度的二分之一。
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