[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法有效
申请号: | 201710696945.5 | 申请日: | 2017-08-15 |
公开(公告)号: | CN107546233B | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 徐洪远 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G03F7/26 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法,本发明在第三道光罩工艺中,对光阻表面进行疏水性处理,形成疏水性基团;而疏水性基团的存在,使得溶液型透明金属和OLED材料不会覆盖在光阻表面,便于光阻的剥离,使得剥离效率以及制程效率提高;而光阻的存在使得OLED材料能形成固定的图案,节省了一道光罩,降低了制作成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:步骤S110,使用第一光罩,在基板表面形成薄膜晶体管的栅极与栅线;步骤S120,使用第二光罩,在所述基板表面形成所述薄膜晶体管的栅极绝缘层、有源层、源电极、漏电极以及钝化层;步骤S130,在所述钝化层上涂布第一光阻层,采用灰色调掩模板或半透式掩模板对所述第一光阻层进行曝光,使所述光阻图案化,形成相互分离的第一光阻区域和第二光阻区域;步骤S140,通过蚀刻工艺移除所述钝化层中未被所述第一光阻区域和所述第二光阻区域覆盖的部分,形成钝化层过孔,以露出漏极;步骤S150,对所述第一光阻区域和所述第二光阻区域进行灰化处理,保留部分第一光阻区域和部分第二光阻区域;步骤S160,对所述部分第一光阻区域和部分第二光阻区域的表面进行疏水处理;步骤S170,在未被所述部分第一光阻区域和部分第二光阻区域覆盖的钝化层上涂布溶液型透明金属,对所述溶液型透明金属进行固化处理,形成连接所述漏极的像素电极;在所述基板表面的透明金属层上涂布溶液型OLED材料;步骤S180,对所述部分第一光阻区域和部分第二光阻区域进行剥离处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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