[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法有效

专利信息
申请号: 201710696945.5 申请日: 2017-08-15
公开(公告)号: CN107546233B 公开(公告)日: 2019-05-03
发明(设计)人: 徐洪远 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;G03F7/26
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法,本发明在第三道光罩工艺中,对光阻表面进行疏水性处理,形成疏水性基团;而疏水性基团的存在,使得溶液型透明金属和OLED材料不会覆盖在光阻表面,便于光阻的剥离,使得剥离效率以及制程效率提高;而光阻的存在使得OLED材料能形成固定的图案,节省了一道光罩,降低了制作成本。
搜索关键词: 一种 薄膜晶体管 阵列 制造 方法
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:步骤S110,使用第一光罩,在基板表面形成薄膜晶体管的栅极与栅线;步骤S120,使用第二光罩,在所述基板表面形成所述薄膜晶体管的栅极绝缘层、有源层、源电极、漏电极以及钝化层;步骤S130,在所述钝化层上涂布第一光阻层,采用灰色调掩模板或半透式掩模板对所述第一光阻层进行曝光,使所述光阻图案化,形成相互分离的第一光阻区域和第二光阻区域;步骤S140,通过蚀刻工艺移除所述钝化层中未被所述第一光阻区域和所述第二光阻区域覆盖的部分,形成钝化层过孔,以露出漏极;步骤S150,对所述第一光阻区域和所述第二光阻区域进行灰化处理,保留部分第一光阻区域和部分第二光阻区域;步骤S160,对所述部分第一光阻区域和部分第二光阻区域的表面进行疏水处理;步骤S170,在未被所述部分第一光阻区域和部分第二光阻区域覆盖的钝化层上涂布溶液型透明金属,对所述溶液型透明金属进行固化处理,形成连接所述漏极的像素电极;在所述基板表面的透明金属层上涂布溶液型OLED材料;步骤S180,对所述部分第一光阻区域和部分第二光阻区域进行剥离处理。
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