[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S110，使用第一光罩，在基板表面形成薄膜晶体管的栅极与栅线；

步骤S120，使用第二光罩，在所述基板表面形成所述薄膜晶体管的栅极绝缘层、有源层、源电极、漏电极以及钝化层；

步骤S130，在所述钝化层上涂布第一光阻层，采用灰色调掩模板或半透式掩模板对所述第一光阻层进行曝光，使所述光阻图案化，形成相互分离的第一光阻区域和第二光阻区域；

步骤S140，通过蚀刻工艺移除所述钝化层中未被所述第一光阻区域和所述第二光阻区域覆盖的部分，形成钝化层过孔，以露出漏极；

步骤S150，对所述第一光阻区域和所述第二光阻区域进行灰化处理，保留部分第一光阻区域和部分第二光阻区域；

步骤S160，对所述部分第一光阻区域和部分第二光阻区域的表面进行疏水处理；

步骤S170，在未被所述部分第一光阻区域和部分第二光阻区域覆盖的钝化层上涂布溶液型透明金属，对所述溶液型透明金属进行固化处理，形成连接所述漏极的像素电极；

在所述基板表面的透明金属层上涂布溶液型OLED材料；

步骤S180，对所述部分第一光阻区域和部分第二光阻区域进行剥离处理。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二光阻区域包括相互连接的第一光阻子区域和第二光阻子区域，所述第一光阻子区域的厚度小于所述第二光阻子区域的厚度；

所述对所述第一光阻区域和所述第二光阻区域进行灰化处理的步骤包括：去除第二光阻区域的第一光阻子区域并减少所述第二光阻子区域的厚度，形成部分第二光阻区域；减少所述第一光阻区域的厚度，形成部分第一光阻区域。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S110包括：

步骤S111，提供一基板，在所述基板表面沉积第一金属层；

步骤S112，在所述第一金属层上涂布第二光阻层；

步骤S113，所述第二光阻层经曝光、显影后，对所述第一金属层进行蚀刻，形成所述薄膜晶体管的所述栅极和所述栅线；

步骤S114，剥离第二光阻层。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S120包括：

步骤S121，在所述基板表面依次沉积栅极绝缘层、有源层以及第二金属层；

步骤S122，在所述第二金属层上涂布第三光阻层；

步骤S123，所述第三光阻层经曝光、显影后，对所述第二金属层进行蚀刻，形成源电极和漏电极；

步骤S124，剥离第三光阻层；

步骤S125，在所述栅极绝缘层上沉积钝化层。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S150包括：

使用第一等离子体对所述第一光阻区域和所述第二光阻区域进行灰化处理，所述第一等离子体为氧气。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S160包括：

使用第二等离子体对所述部分第一光阻区域和部分第二光阻区域表面作疏水处理，使光阻表面形成疏水性基团，所述疏水性基团为对水无亲和力的烃基。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第二等离子体为四氟化氮、六氟化硫、氧气中的一种或者一种以上的混合体。

8.如权利要求3或4所述的制造方法，其特征在于，所述蚀刻工艺为干刻。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一光罩和所述第二光罩为半色调光罩或灰阶光罩。