[发明专利]跨域ESD保护有效
| 申请号： | 201710695328.3 | 申请日： | 2017-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN107768369B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 赖大伟;斯梅代斯·塔伊德 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 潘军 |
| 地址： | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供具有跨域静电放电(ESD)保护的半导体装置和相关制造方法。示例性半导体装置包括第一域电路、第二域电路，以及耦合在所述第一域驱动器电路的输出节点与所述第二域接收器电路的输出节点之间的接口。所述接收器电路包括具有耦合到所述接口的栅极电极的晶体管，其中所述晶体管的体区电极耦合到所述第一域电路的保护电路。所述体区电极响应于ESD事件而通过所述保护电路有效地偏压到所述第一域的参考电压节点，以保护所述晶体管的栅氧化层免受潜在地具损坏性的ESD电压。 | ||
| 搜索关键词： | 跨域 esd 保护 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：触发布置，所述触发布置耦合到第一参考电压节点，所述触发布置具有用于触发指示的输出节点；以及接口电路，所述接口电路耦合到不同于所述第一参考电压节点的第二参考电压节点，其中，所述接口电路包括具有偏压到所述触发布置的所述输出节点的体区电极的晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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