[发明专利]跨域ESD保护

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：

触发布置，所述触发布置耦合到第一参考电压节点，所述触发布置具有用于触发指示的输出节点；以及

接口电路，所述接口电路耦合到不同于所述第一参考电压节点的第二参考电压节点，其中，所述接口电路包括具有偏压到所述触发布置的所述输出节点的体区电极的晶体管；

第二晶体管，所述第二晶体管耦合在所述晶体管与第三参考电压节点之间，其中，所述第二晶体管的栅极电极偏压到所述触发布置的触发节点；且所述输出节点处的所述触发指示是所述触发节点处的信号的逻辑反。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，所述触发布置被配置成响应于静电放电事件而在所述输出节点处提供放电电压，其特征在于，所述体区电极连接到所述输出节点，以响应于所述静电放电事件而使所述体区电极偏压到所述放电电压。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述触发布置被配置成响应于静电放电事件而在所述触发节点处提供逻辑低电压；且

所述触发指示包括所述输出节点处的逻辑高电压。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：

所述第二晶体管包括耦合到所述第三参考电压节点的源极电极和耦合到所述体区电极的漏极电极；且

所述晶体管包括耦合到所述第二参考电压节点的漏极电极和耦合到所述体区电极的源极电极。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置进一步包括耦合到所述第一参考电压节点的第二接口电路，所述第二接口电路包括耦合到接口的第二输出节点，其中，所述晶体管的栅极电极耦合到所述接口。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述第二接口电路包括：

第三晶体管，所述第三晶体管具有耦合到所述第一参考电压节点的源极电极、耦合到所述触发布置的所述输出节点的栅极电极和耦合到所述第二输出节点的漏极电极；以及

第四晶体管，所述第四晶体管具有耦合到所述第二输出节点的漏极电极、耦合到所述触发布置的所述输出节点的栅极电极和耦合到第四参考电压节点的源极电极。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置进一步包括耦合在所述第三参考电压节点与所述第四参考电压节点之间的反并联二极管布置。

8.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：

第一域电路，所述第一域电路包括：

保护电路，所述保护电路耦合在第一参考电压节点与第二参考电压节点之间；以及

驱动器电路，所述驱动器电路耦合在所述第一参考电压节点与所述第二参考电压节点之间，所述驱动器电路具有输出节点；

接口，所述接口耦合到所述驱动器电路的所述输出节点；以及

第二域电路，所述第二域电路耦合在第三参考电压节点与第四参考电压节点之间，所述第二域电路包括具有耦合到所述接口的栅极电极的晶体管，其中，所述晶体管的体区电极耦合到所述保护电路；

第二晶体管，所述第二晶体管耦合在所述晶体管与第三参考电压节点之间，其中，所述第二晶体管的栅极电极偏压到触发布置的触发节点；且所述输出节点处的所述触发指示是所述触发节点处的信号的逻辑反。

9.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：

在半导体衬底上形成第一域电路，所述第一域电路耦合在第一参考电压节点与第二参考电压节点之间；

在所述半导体衬底上形成第二域电路的晶体管，所述第二域电路耦合在第三参考电压节点与第四参考电压节点之间；

在所述第一域电路的驱动器电路的输出节点与所述晶体管的栅极电极之间形成通信接口；

在所述晶体管的体区电极与所述第一域电路的保护电路的节点之间提供电气连接；以及

在晶体管与第三参考电压节点之间形成第二晶体管，所述第二晶体管的栅极电极偏压到触发布置的触发节点；且所述输出节点处的所述触发指示是所述触发节点处的信号的逻辑反。