[发明专利]快闪存储器存储装置及其读取方法有效
申请号: | 201710695253.9 | 申请日: | 2017-08-15 |
公开(公告)号: | CN109411001B | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | 何文乔 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C16/30 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种快闪存储器存储装置及其读取方法。快闪存储器存储装置包括存储器晶胞阵列以及存储器控制电路。存储器晶胞阵列包括至少一个存储器晶胞串。存储器晶胞串耦接在比特线及源极线之间。存储器控制电路耦接至存储器晶胞阵列,用以在读取期间控制存储器晶胞阵列的读取操作。读取期间包括预充电期间以及放电期间。在预充电期间,源极线经由信号传递路径对比特线进行预充电操作。在放电期间比特线经由相同的信号传递路径,对源极线进行放电操作。信号传递路径包括存储器晶胞串。 | ||
搜索关键词: | 闪存 存储 装置 及其 读取 方法 | ||
【主权项】:
1.一种快闪存储器存储装置,其特征在于,包括:存储器晶胞阵列,包括至少一存储器晶胞串,耦接在比特线及源极线之间;以及存储器控制电路,耦接至所述存储器晶胞阵列,用以在读取期间控制所述存储器晶胞阵列的读取操作,以及所述读取期间包括预充电期间以及放电期间,其中在所述预充电期间所述源极线经由信号传递路径对所述比特线进行预充电操作,在所述放电期间所述比特线经由相同的所述信号传递路径对所述源极线进行放电操作,以及所述信号传递路径包括所述存储器晶胞串。
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