[发明专利]沟槽型双层栅MOS成膜方法

摘要

本发明公开了一种沟槽型双层栅MOS成膜方法,包含第1步，在硅衬底上形成氧化膜层及硬掩膜层，图形化打开沟槽刻蚀窗口，刻蚀形成沟槽；沟槽倒角处理后淀积牺牲氧化层；第2步，淀积衬垫氧化层，然后淀积多晶硅并回刻，然后涂覆光刻胶，图案化定义后再对多晶硅进行刻蚀形成多晶硅源极；第3步，进行热氧化形成介质氧化层，然后对介质氧化层进行回刻，淀积多晶硅并回刻形成多晶硅栅极；淀积氧化层，淀积多晶硅并在光刻胶的定义下对多晶硅进行回刻形成静电释放结构；第4步，进行体区及源区的注入，淀积氧化层，淀积硼磷硅玻璃，对硼磷硅玻璃及氧化层进行湿法回刻；接触孔光刻及刻蚀，淀积金属。

主权项

一种沟槽型双层栅MOS成膜方法，其特征在于：包含：第1步，在硅衬底上形成氧化膜层及硬掩膜层，图形化打开沟槽刻蚀窗口，刻蚀形成沟槽；沟槽倒角处理；第2步，淀积衬垫氧化层，然后淀积多晶硅并回刻，然后涂覆光刻胶，图案化定义后再对多晶硅进行刻蚀形成多晶硅源极；第3步，进行热氧化形成热氧化层，然后对热氧化层进行回刻；第4步，淀积多晶硅并回刻形成多晶硅栅极；形成硅酸盐玻璃，淀积多晶硅并在光刻胶的定义下对多晶硅进行回刻形成静电释放结构；进行体区及源区的注入，再次形成硅酸盐玻璃，淀积硼磷硅玻璃，对硅酸盐玻璃及硼磷硅玻璃进行回刻；接触孔光刻定义及刻蚀，淀积金属。