[发明专利]隔离沟槽的填充方法、设备及隔离沟槽的填充结构有效
| 申请号： | 201710676374.9 | 申请日： | 2017-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN107359136B | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 睿力集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 张臻贤;由元 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种隔离沟槽的填充方法，包括：提供一介质旋转涂布装置；装载一表面刻蚀有隔离沟槽的晶圆于介质旋转涂布装置中；在介质旋转涂布装置中，旋涂方式形成绝缘介质前驱物于晶圆表面，以填充隔离沟槽；以及，在介质旋转涂布装置中，对旋涂后的晶圆进行烘烤退火，以将绝缘介质前驱物经氧化反应而转变成绝缘介质；其中，在前述旋涂形成过程与前述烘烤退火过程中，介质旋转涂布装置提供臭氧阻隔(O3free)环境，使得绝缘介质填满隔离沟槽且其内部无气泡产生，并且绝缘介质前驱物在隔离沟槽中的转换效率在90％以上。有效减小甚至消除隔离沟槽中的空洞，减少填充次数，降低成本。本发明还公开一种隔离沟槽的填充设备，以及一种隔离沟槽的填充结构。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离沟槽 旋转涂布装置 填充 绝缘介质 前驱物 烘烤 晶圆 旋涂 绝缘介质填满 填充隔离沟槽 退火 表面刻蚀 晶圆表面 气泡产生 填充设备 退火过程 氧化反应 转换效率 臭氧 对旋 减小 装载 阻隔 空洞 | ||
【主权项】：
1.一种隔离沟槽的填充方法，其特征在于，包括：提供一介质旋转涂布装置；装载一表面刻蚀有隔离沟槽的晶圆于所述介质旋转涂布装置中；在所述介质旋转涂布装置中，旋涂方式形成绝缘介质前驱物于所述晶圆表面，以填充所述隔离沟槽；以及，在所述介质旋转涂布装置中，对旋涂后的所述晶圆进行烘烤退火，以将所述绝缘介质前驱物在氧气环境下经氧化反应而转变成绝缘介质；其中，在前述旋涂形成过程与前述烘烤退火过程中，所述介质旋转涂布装置提供臭氧阻隔(O3free)环境，使得所述绝缘介质填满所述隔离沟槽且其内部无气泡产生，并且所述绝缘介质前驱物在所述隔离沟槽中的转换效率在90％以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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