[发明专利]GaN基微米级LED阵列及其制备方法

摘要

本发明公开了一种GaN基微米级LED阵列及其制备方法，该器件包括LED阵列单元、覆盖在LED阵列单元上方的隔离层、设置在隔离层上的n‑电极引线区，LED阵列单元中的LED器件的正极相连并与p‑电极引线区连接；LED器件包括从下至上依次设置的n‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p‑GaN层、p‑电极和设置在n‑GaN层上位于InGaN/GaN多量子阱层一侧的n‑电极，所有LED器件的n‑电极连为一体。本发明在p型区和n型区大面积蒸镀金属电极并作为反射镜，抑制光从正面出射，实现背发光；LED器件相互独立，LED阵列单元均可收发，实现超高速MIMO系统收发端；同时，结合GaN基InGaN/GaN多量子阱材料的特点，配合外部电路设计，通过收集外界震动和光源的能量，实现能量采集功能。

主权项

一种GaN基微米级LED阵列，其特征在于，该LED阵列包括m×m个LED阵列单元、覆盖在所述m×m个LED阵列单元上方的隔离层（3）、设置在隔离层（3）上的n‑电极引线区（8），每个所述LED阵列单元包括n×n独立的LED器件和一个设置在隔离层（3）上的p‑电极引线区（4），LED阵列单元中的n×n个LED器件的正极相连并与p‑电极引线区（4）连接；所述LED器件包括从下至上依次设置的n‑GaN层（1）、InGaN/GaN多量子阱层（5）、p‑GaN层（6）、p‑电极（7）和设置在n‑GaN层（1）上位于InGaN/GaN多量子阱层（5）一侧的n‑电极（2），所有LED器件的n‑电极（2）连为一体；所述隔离层（3）将LED器件的n‑电极（2）和p‑电极（7）隔离开，所述p‑电极（7）上侧中心部分从隔离层（3）的缺口中露出，并与p‑电极引线区（4）相连，所述n‑电极引线区（8）穿过隔离层（3）与n‑电极（2）相连。