[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710674059.2 | 申请日： | 2017-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN107546265B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 赵树峰 | 申请（专利权）人： | 苏州捷芯威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 龙礼妹 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：半导体层；基于所述半导体层制作的第一源极、第一漏极、第一栅极、第二源极、第二漏极和第二栅极；隔离沟槽；将所述第一漏极与所述第二源极电连接的第一互联导体；以及将所述第一源极与所述第二栅极电连接的第二互联导体。所述半导体器件提高了半导体器件的整体耐压性及可靠性，并具有高开关频率以及低开关损耗特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体层；基于所述半导体层制作的第一源极、第一漏极、第一栅极、第二源极、第二漏极和第二栅极，所述第一栅极位于所述第一源极与所述第一漏极之间，所述第二栅极位于所述第二源极与所述第二漏极之间；隔离沟槽，形成于所述第一漏极与所述第二源极之间的所述半导体层内，使所述第一漏极和所述第二源极形成高阻断区；基于所述半导体层制作并将所述第一漏极与所述第二源极电连接的第一互联导体；以及基于所述半导体层制作并将所述第一源极与所述第二栅极电连接的第二互联导体。
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