[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体层；

基于所述半导体层制作的第一源极、第一漏极、第一栅极、第二源极、第二漏极和第二栅极，所述第一栅极位于所述第一源极与所述第一漏极之间，所述第二栅极位于所述第二源极与所述第二漏极之间；

隔离沟槽，形成于所述第一漏极与所述第二源极之间的所述半导体层内，使所述第一漏极和所述第二源极形成高阻断区；

基于所述半导体层制作并将所述第一漏极与所述第二源极电连接的第一互联导体；以及

基于所述半导体层制作并将所述第一源极与所述第二栅极电连接的第二互联导体；

其中，所述第一源极、第一漏极和第一栅极形成低压增强型半导体器件，所述第二源极、第二漏极和第二栅极形成高压耗尽型半导体器件；

所述半导体器件还包括电阻器件，所述电阻器件的一端通过第三互联导体与所述第一源极电极连接、另一端通过第四互联导体与所述第一漏极电极连接，使该电阻器件并联在所述第一源极和第一漏极两端。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体层包括衬底、位于所述衬底一侧的第一半导体层和位于所述第一半导体层远离所述衬底一侧的第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层的交界面形成二维电子气；

所述第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极基于所述第二半导体层远离所述第一半导体层的一侧制作，并与所述二维电子气形成欧姆接触；

所述隔离沟槽贯穿所述第二半导体层并延伸至所述第一半导体层内，所述隔离沟槽使位于所述第一漏极与所述第二源极之间的二维电子气沟道形成高阻断区。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括位于所述第二半导体层上远离所述衬底一侧并与所述第一栅极的位置对应的第三半导体层，所述第三半导体层与所述第二半导体层的电极性相反，所述第一栅极形成于所述第三半导体层。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一源极和第一漏极之间设置有栅极沟槽，所述栅极沟槽的底部贯穿所述第二半导体层并延伸至所述第一半导体层，使所述第一栅极下方的二维电子气耗尽；

所述第一栅极的至少一部分位于所述栅极沟槽内，所述栅极沟槽内覆盖有栅极电介质层，以隔离所述第一栅极与所述第二半导体层。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第二半导体层、所述隔离沟槽内部以及所述栅极沟槽内部覆盖有栅极电介质层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体层与所述第一栅极对应的区域注入有F离子，所述第一栅极形成于所述半导体层注入有所述F离子的区域上。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一互联导体连接在第一漏极电极与所述第二源极之间，以实现所述第一漏极与所述第二源极之间的电连接；

所述第二互联导体连接在第一源极电极和第二栅极电极之间，以实现所述第一源极与所述第二栅极之间的电连接。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括电容器件，所述电容器件的一端通过第五互联导体与所述第一源极电极连接、另一端通过第六互联导体与所述第一漏极电极连接，使该电容器件并联在所述第一源极和第一漏极两端。