[发明专利]USB-C型负荷开关的ESD保护

摘要

在一个公共芯片上的MOSFET和静电放电(ESD)保护器件，包括一个带有源极、栅极和漏极的MOSFET，以及一个ESD保护器件，用于实现二极管功能，偏置后防止电流通过公共芯片从源极流至漏极。

主权项

一种器件，包括：两个或多个MOSFET以及一个静电放电(ESD)保护器件，形成在一个公共芯片上，其中两个或多个MOSFET中的每一个MOSFET都具有源极、栅极和公共漏极，其中配置ESD保护器件，以实现二极管功能，防止电流通过公共芯片从地电势流至公共漏极，其中公共芯片包括：一层第一导电类型的半导体材料；其中两个或多个MOSFET中的每个MOSFET都包括一个第二导电类型的半导体材料的本体区，形成在第一导电类型的半导体材料层的顶部内；一组两个或多个沟槽形成在第一导电类型的半导体材料层内，组中的每个沟槽都含有一个栅极电极，通过沿沟槽侧壁和底部的栅极绝缘材料电绝缘，这组沟槽包括至少一个第一沟槽和一个第二沟槽，其中本体区在第一和第二沟槽之间，一个或多个第一导电类型的半导体材料的源极区形成在本体区内，其中所述的两个或多个MOSFET包括第一和第二MSOFET，连接在背对背结构中。