[发明专利]存储器、其制造方法及半导体器件

摘要

本发明提供了一种存储器、其制造方法及半导体器件，在进行刻蚀以在单元区域形成位线前，就通过保护层对位线插塞(的侧面)进行保护，由此刻蚀形成位线时，虽然单元区域和外围区域的刻蚀深度不同，但不会对单元区域中的位线插塞产生侧刻蚀，从而避免了位线插塞的电阻值增加。

主权项

1.一种存储器的制造方法，其特征在于，所述存储器的制造方法包括：提供一衬底，所述衬底包括一单元区域及位于所述单元区域外的一外围区域，所述单元区域的衬底上形成有一介质层，所述介质层中形成有一位线接触开口，所述外围区域的衬底上形成有一导电层，所述导电层的底面不高于所述介质层的顶面；形成一位线插塞材料层，所述位线插塞材料层覆盖所述位线接触开口、所述介质层及所述导电层；回刻蚀所述位线插塞材料层，去除所述介质层及所述导电层表面的所述位线插塞材料层以及去除所述位线接触开口中的部分厚度的所述位线插塞材料层，剩余的所述位线插塞材料层覆盖所述位线接触开口的底面及靠近所述底面的部分侧面；形成一保护层，所述保护层位于剩余的所述位线插塞材料层上并覆盖未被所述位线插塞材料层覆盖的部分侧面；填充所述位线接触开口，以在所述位线接触开口中形成一位线插塞；形成一位线材料层，所述位线材料层覆盖所述位线插塞、所述介质层及所述导电层；刻蚀所述位线材料层及所述导电层，以在所述单元区域由所述位线材料层形成一位线，所述位线与所述位线插塞电连接，并在所述外围区域由所述导电层形成一第一导线；及形成一填充层，所述填充层填充所述位线插塞和所述介质层之间的间隙。