[发明专利]通过利用四氯硅烷减少壁上沉积的流化床反应器生产硅在审
| 申请号： | 201710659561.6 | 申请日： | 2009-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN107555440A | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·莫尔纳 | 申请（专利权）人： | 赫姆洛克半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开通过向靠近流化床反应器壁的地方供入蚀刻气体的方法来抑制流化床反应器壁上硅沉积。所述蚀刻气体包括四氯硅烷。可以将西门子反应器并入到所述方法中，以便将来自所述西门子反应器的排放气体用于形成供入所述流化床反应器的供入气体和/或蚀刻气体。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 利用 硅烷 减少 壁上 沉积 流化床 反应器 生产 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：1)将包括氢的沉积气体和硅单体供入流化床反应器的内部区域，其中所述硅单体选自SiH4和HSiCl3，并且将所述沉积气体引入所述流化床反应器的加热区，以及同时2)使基本上由SiCl4组成的蚀刻气体通过周边区域供入所述流化床反应器的加热区中，其中所述周边区域在所述内部区域和所述流化床反应器的壁之间；以及其中，步骤1)中所述硅单体的量足以将硅沉积在位于所述流化床反应器的加热区之上的反应区中的流化硅颗粒上，并且步骤2)中SiCl4的量足以从所述流化床反应器的壁上蚀刻硅，其中，通过氢化工艺由SiCl4生产HSiCl3，并且其中，用作蚀刻气体的SiCl4的相同的源也用于通过氢化工艺生产HSiCl3。
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