[发明专利]一种IGBT单管的筛选方法在审
申请号: | 201710658806.3 | 申请日: | 2017-08-04 |
公开(公告)号: | CN107611062A | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | 李思言;李克楠;高新 | 申请(专利权)人: | 北方智能装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 沈阳技联专利代理有限公司21205 | 代理人: | 张志刚 |
地址: | 110179 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种IGBT单管的筛选方法,涉及一种晶体管筛选方法,一种IGBT 单管的筛选方法,其特征在于,所述方法包括以下内容其筛选条件需要供电设备、读取IGBT单管电流的设备、单管筛选用途设备、筛选过程中IGBT处理方法、IGBT单管筛选过后的处理方法、筛选的环境条件;IGBT单管筛选方法针对筛选条件要求选取直流稳压电流源提供稳定输出电压源、可供筛选用途的筛选测试电路、IGBT单管筛选过程中需要隔离散热使用的绝缘板,IGBT筛选之后需要放电处理的放电板。该方法选取稳定输出与开启状态之间电压进行筛选,该方法在环境严格控制下其单管电压范围小,对IGBT单管损伤小,从而筛选出的IGBT单管其电压误差范围小并且操作简单、易控制。 | ||
搜索关键词: | 一种 igbt 筛选 方法 | ||
【主权项】:
一种IGBT单管的筛选方法,其特征在于,所述方法包括以下内容:其筛选条件需要供电设备、读取IGBT单管电流的设备、单管筛选用途设备、筛选过程中IGBT处理方法、IGBT单管筛选过后的处理方法、筛选的环境条件;IGBT单管筛选方法针对筛选条件要求选取:直流稳压电流源提供稳定输出电压源、可供筛选用途的筛选测试电路、IGBT单管筛选过程中需要隔离散热使用的绝缘板,IGBT筛选之后需要放电处理的放电板,所有设备表面为操作平台; 设备使用实验室级直流稳压电流源, IGBT供筛选用途中,设备使用筛选测试电路板根据不同IGBT单管其开启电压、电流不同使用滑动变阻器(10KΩ)改变分压值、分流值,从而提供更大的筛选范围;IGBT供筛选用途中,设备将IGBT单管固定在绝缘板上进行筛选; 设备中放电板对设置为基准的单管进行放电处理,待几批无法读取电流的IGBT单管混合后再集中进行筛选;设备中其环境要求和测试方式:温度:常年25℃;气压:101Kpa;单个IGBT单管通电时间不超过1s;每轮单管筛选通电次数不允许超过1次;分组条件:以5mA电流单位为一组。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造