[发明专利]衬底处理设备有效
| 申请号： | 201710626938.8 | 申请日： | 2017-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN107665840B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 郑元基;田星训;郑东洛 | 申请（专利权）人： | ASM知识产权私人控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;臧建明 |
| 地址： | 荷兰阿尔梅勒佛*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种衬底处理设备，在所述衬底处理设备中，在维护/修复操作期间根据维护/修复的目的或对象来对部件进行选择性升降。所述衬底处理设备包括：腔室；第一盖体及第二盖体，位于所述腔室上；升降装置，连接到所述第一盖体并被配置成对所述第一盖体进行升降；以及连接区。当所述升降装置与所述第二盖体通过所述连接区连接到彼此，或者所述第一盖体与所述第二盖体通过所述连接区连接到彼此时，所述第一盖体及所述第二盖体通过所述升降装置进行升降。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 设备 | ||
【主权项】：
一种衬底处理设备，其特征在于，包括：腔室；第一盖体及第二盖体，位于所述腔室上；升降装置，连接到所述第一盖体并被配置成对所述第一盖体进行升降；以及连接区，其中当所述升降装置与所述第二盖体通过所述连接区连接到彼此，或者所述第一盖体与所述第二盖体通过所述连接区连接到彼此时，所述第一盖体及所述第二盖体通过所述升降装置进行升降。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
