[发明专利]一种湿法清洗制绒工艺有效
| 申请号： | 201710615707.7 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109309143B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 李亚哲;王彦君;孙晨光;徐长坡;陈澄;武卫;梁效峰;黄志焕;杨玉聪;李丽娟;朱建佶 | 申请（专利权）人： | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300380 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种湿法清洗制绒工艺，包括采用高温水蒸气和氢氟酸去除扩散后处理的硅片表面的磷、硼硅玻璃和在去除磷、硼硅玻璃的硅片表面湿法制绒。本发明的有益效果是采用高温水蒸气和氢氟酸去除扩散后处理的硅片表面的磷、硼硅玻璃，为湿法制绒做好准备，更加利于后续湿法制绒过程，利于制绒时硅片与腐蚀液的接触反应；同时，采用湿法制绒工艺，制得的硅片表面粗糙度增大，利于硅片后续玻钝工艺保护层的涂覆，使得玻钝工艺中保护层涂覆时附着力增加。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 清洗 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种湿法清洗制绒工艺，其特征在于：包括如下步骤：1)去除扩散后处理的硅片表面的形成层；2)湿法制绒。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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