[发明专利]一种湿法清洗制绒工艺

说明书

本发明提供一种湿法清洗制绒工艺，包括采用高温水蒸气和氢氟酸去除扩散后处理的硅片表面的磷、硼硅玻璃和在去除磷、硼硅玻璃的硅片表面湿法制绒。本发明的有益效果是采用高温水蒸气和氢氟酸去除扩散后处理的硅片表面的磷、硼硅玻璃，为湿法制绒做好准备，更加利于后续湿法制绒过程，利于制绒时硅片与腐蚀液的接触反应；同时，采用湿法制绒工艺，制得的硅片表面粗糙度增大，利于硅片后续玻钝工艺保护层的涂覆，使得玻钝工艺中保护层涂覆时附着力增加。

技术领域

本发明属于硅片制作技术领域，尤其是涉及一种湿法清洗制绒工艺。

背景技术

随着半导体技术的发展，对半导体表面钝化的要求越来越高，作为钝化材料，应具备良好的电气性能、可靠性、良好的化学稳定性、可操作性以及经济性。根据上述要求，半导体钝化专用玻璃作为一种较为理想的半导体钝化材料在半导体行业中开始应用。利用半导体钝化专用玻璃制作的芯片称为玻璃钝化芯片(Glass passivation process Chip)，即GPP芯片。

目前，行业内GPP芯片所用的硅片制绒采用的方法为干法打砂制绒，使用石英砂经过高速喷出，对硅片表面进行打磨，使得硅片表面粗糙度增大。但是，采用干法打砂工艺制绒具有明显的缺点是，采用干法打砂制绒的硅片，硅片受力较大，使得硅片容易破碎，且制绒效果不明显，粗糙度较小，且工艺流程复杂，投入成本较大。

发明内容

本发明要解决的问题是提供一种湿法清洗制绒工艺，应用高温水蒸气和氢氟酸去除扩散后处理硅片表面的磷、硼硅玻璃，采用湿法制绒工艺，使得硅片表面制得坚固的针状结构，减少硅片表面损伤，且硅片表面粗糙度增大，利于后续硅片玻钝工艺保护层的涂覆。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种湿法清洗制绒工艺，包括如下步骤：

1)去除扩散后处理的硅片表面的形成层；

2)湿法制绒。

进一步的，步骤2)湿法制绒包括如下步骤：

A.配置腐蚀清洗液：分别配置多级清洗液；

B.将配置好的腐蚀清洗液倒入相应的多级清洗槽中，并设定好所述多级清洗槽的温度；

C.当各级清洗槽的温度达到设定值时，将硅片依次放置多级清洗槽中清洗，每级清洗后均进行冲水；

D.将冲水后的所述硅片甩干，并进行表面粗糙度测试。

进一步的，多级清洗液包括第一级清洗液、第二级清洗液和第三级清洗液。

进一步的，多级清洗槽包括第一级清洗槽、第二级清洗槽和第三级清洗槽。

进一步的，步骤A包括以下步骤：

A1.称取适量氢氧化钾，配置质量分数为10-30％的氢氧化钾溶液；

A2.配置第一级清洗液：将双氧水、纯水和配置的质量分数为10-30％的氢氧化钾溶液按照体积比为6-10:110-120:1-8的比例混合进行配置第一级清洗液；

A3.配置第二级清洗液：将配置的质量分数为10-30％的氢氧化钾溶液、制绒添加剂和纯水按照体积比为0.35-0.42:0.04-0.09:5-10的比例混合进行配置第二级清洗液；

A4.配置第三级清洗液：将氢氟酸、盐酸和纯水按照体积比为10-15:30-40:60-80的比例混合进行配置第三级清洗液。

进一步的，步骤B包括以下步骤：

B1.将配置好的第一级清洗液倒入第一级清洗槽中并开启加热装置，并将温度设定为50-70℃；

B2.将配置好的第二级清洗液倒入第二级清洗槽中并开启加热装置，将温度设定为70-90℃；