[发明专利]在多站中的晶片弯曲度的控制有效
| 申请号： | 201710609934.9 | 申请日： | 2017-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN107658200B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 爱德华·奥古斯蒂尼克;大卫·弗伦希;苏尼尔·卡普尔;崎山幸则;乔治·托马斯 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及在多站中的晶片弯曲度的控制。描述了在等离子体处理站中控制晶片弯曲度的系统。该系统包括提供低频RF信号的电路和提供高频RF信号的另一电路。该系统包括输出电路和站。所述输出电路组合所述低频RF信号和所述高频RF信号以产生用于所述站的多个组合的RF信号。输送到所述站中的一个的低频功率的量取决于晶片弯曲度，例如晶片的非平坦度。弯曲的晶片使输送到具有公共RF源的多站室中的站的低频功率下降。并联电感器与所述站中的一个并联耦合，以增加流向具有弯曲的晶片的站的电流量。因此，站功率对晶片弯曲度变得不太灵敏，从而使晶片弯曲度最小化。 | ||
| 搜索关键词： | 中的 晶片 弯曲 控制 | ||
【主权项】：
一种用于输送功率到与室相关联的多个等离子体处理站的功率分配器，该功率分配器包括：耦合到低频阻抗匹配网络并且被配置为提供低频RF信号的低频电路；耦合到高频阻抗匹配网络并且被配置为提供高频RF信号的高频电路，其中所述高频电路耦合到所述低频电路；耦合到所述高频电路和多个等离子体处理站的输出电路，其中所述输出电路被配置为组合所述低频RF信号和所述高频RF信号以产生多个组合的RF信号以提供给等离子体处理站；以及并联电感器，其与所述等离子体处理站中的一个并联耦合，以增加流向所述等离子体处理站中的所述一个的电流量。
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