[发明专利]在多站中的晶片弯曲度的控制

权利要求书

1.一种用于输送功率到与室相关联的多个等离子体处理站的功率分配器，该功率分配器包括：

耦合到低频阻抗匹配网络并且被配置为接收低频RF信号的低频电路，其中所述低频电路包括多个高频阻隔电路和第一多个电容器；

耦合到高频阻抗匹配网络并且被配置为接收高频RF信号的高频电路，其中所述高频电路耦合到所述低频电路；

耦合到所述高频电路和多个等离子体处理站的输出电路，其中所述输出电路被配置为组合所述低频RF信号和所述高频RF信号以产生多个组合的RF信号以提供给所述多个等离子体处理站，其中所述多个高频阻隔电路被配置为通过所述输出电路耦合到所述多个等离子体处理站；以及

多个并联电感器，其中所述多个并联电感器中的每一个并联耦合至所述多个等离子体处理站中的相应的一个，以增加流向所述等离子体处理站中的所述相应的一个的电流量，其中所述多个并联电感器中的每一个以如下的方式并联耦合到所述多个等离子体处理站中的所述相应的一个：所述多个并联电感器中的每一个在一端耦合到接地连接件并且在相对端耦合到所述多个高频阻隔电路中的相应一个，其中所述多个并联电感器中的每一个并联耦合至所述低频电路的所述第一多个电容器中的相应的一个。

2.根据权利要求1所述的功率分配器，其中所述多个并联电感器中的每一个耦合在所述低频电路的输入端和多个同轴电缆的相应的一个的端部之间，所述同轴电缆将所述输出电路的输出端耦合到所述等离子体处理站中的所述相应的一个。

3.根据权利要求1所述的功率分配器，其中所述多个高频阻隔电路中的每一个包括与第二多个电容器中的相应的一个并联耦合的多个电感器中的一个。

4.根据权利要求1所述的功率分配器，其中所述第一多个电容器中的每一个在一端耦合到所述接地连接件并且在相对端耦合到所述高频阻隔电路中的所述相应的一个。

5.根据权利要求1所述的功率分配器，其中所述多个并联电感器中的每一个是可变电感器或固定电感器。

6.一种用于输送功率到多个等离子体处理站的系统，该系统包括：

被配置为产生具有第一频率的第一RF信号的第一RF发生器；

被配置为产生具有第二频率的第二RF信号的第二RF发生器；

耦合到所述第一RF发生器以接收所述第一RF信号的第一匹配网络，其中所述第一匹配网络被配置为在从所述第一RF发生器接收到所述第一RF信号时输出第一经修改的RF信号；

耦合到所述第二RF发生器以接收所述第二RF信号的第二匹配网络，其中所述第二匹配网络被配置为在从所述第二RF发生器接收到所述第二RF信号时输出第二经修改的RF信号；

耦合到所述第一匹配网络的输出端和所述第二匹配网络的输出端的功率分配器，其中所述功率分配器被配置为组合所述第一经修改的RF信号和所述第二经修改的RF信号以向多个等离子体处理站提供组合的RF信号，其中所述功率分配器具有耦合到所述多个等离子体处理站的多个输出端，其中所述功率分配器包括：

耦合到所述第一匹配网络并且被配置为接收所述第一经修改的RF信号的低频电路，其中所述低频电路包括多个高频阻隔电路和第一多个电容器；

耦合到所述第二匹配网络和所述低频电路并且被配置为接收所述第二经修改的RF信号的高频电路；以及

耦合到所述高频电路和所述多个等离子体处理站的输出电路，其中所述输出电路被配置为组合所述第一经修改的RF信号和所述第二经修改的RF信号以产生所述组合的RF信号以提供给所述多个等离子体处理站，其中所述多个高频阻隔电路被配置为通过所述输出电路耦合到所述多个等离子体处理站；以及

多个并联电感器，其中所述多个并联电感器中的每一个并联耦合至所述多个等离子体处理站中的相应的一个，以增加流向所述等离子体处理站中的所述相应的一个的电流量，其中所述多个并联电感器中的每一个以如下的方式并联耦合到所述多个等离子体处理站中的所述相应的一个：所述多个并联电感器中的每一个在一端耦合到接地连接件并且在相对端耦合到所述多个高频阻隔电路中的相应一个，其中所述多个并联电感器中的每一个并联耦合至所述低频电路的所述第一多个电容器中的相应的一个。