[发明专利]基于铝‑砷化镓结构的宽波段光完美吸收器

摘要

本发明公开了基于铝‑砷化镓结构的宽波段光完美吸收器，属于光电材料领域。所述吸收器自下而上依次由衬底、铝膜层和砷化镓结构层组成，所述砷化镓结构层由砷化镓颗粒阵列和砷化镓膜层组成。本发明通过合理设计砷化镓结构的几何尺寸和晶格周期，可以完全吸收入射到结构表面的电磁波。这种基于砷化镓颗粒本身的局域光学共振模式与砷化镓膜层的低阶光学导波模式的吸收器具有结构简单、近红外波段吸收和宽波段吸收的特点，此外结构中采用的砷化镓为半导体材料便于拓展此类吸收器在光电检测、光电转换、光生电子和热电子产生与收集以及电磁能量吸收等领域的应用开发。

主权项

一种基于铝‑砷化镓结构的宽波段光完美吸收器，它包括衬底、铝膜层、砷化镓结构层，其特征在于：自下而上依次设置衬底、铝膜层、砷化镓结构层，所述砷化镓结构层由砷化镓膜层和砷化镓颗粒阵列组成；所述铝膜层、砷化镓结构层形成具有宽波段光完美吸收特性的结构，通过调节砷化镓结构的几何参数和单元晶格的周期，调控光吸收特性。