[发明专利]基于铝‑砷化镓结构的宽波段光完美吸收器

权利要求书

1.一种基于铝-砷化镓结构的宽波段光完美吸收器，它包括衬底、铝膜层、砷化镓结构层，其特征在于：自下而上依次设置衬底、铝膜层、砷化镓结构层，所述砷化镓结构层由砷化镓膜层和砷化镓颗粒阵列组成；所述铝膜层、砷化镓结构层形成具有宽波段光完美吸收特性的结构，通过调节砷化镓结构的几何参数和单元晶格的周期，调控光吸收特性。

2.根据权利要求1所述的基于铝-砷化镓结构的宽波段光完美吸收器，其特征在于：所述砷化镓颗粒组成的周期性阵列图案设置在砷化镓膜层上表面。

3.根据权利要求1所述的基于铝-砷化镓结构的宽波段光完美吸收器，其特征在于：所述砷化镓结构层的材料为砷化镓。

4.根据权利要求1所述的基于铝-砷化镓结构的宽波段光完美吸收器，其特征在于：所述金属膜层的材料为铝。

5.根据权利要求1所述的基于铝-砷化镓结构的宽波段光完美吸收器，其特征在于：所述砷化镓颗粒的结构为圆柱体结构。

6.根据权利要求1所述的基于铝-砷化镓结构的宽波段光完美吸收器，其特征在于：所述砷化镓膜层厚度处于20nm～50nm范围。

7.根据权利要求1所述的基于铝-砷化镓结构的宽波段光完美吸收器，其特征在于：所述衬底的材料为硅片、玻璃或柔性材料。

8.根据权利要求1所述的基于铝-砷化镓结构的宽波段光完美吸收器，其特征在于：所述砷化镓颗粒阵列为四方晶格，阵列的周期为300nm～700nm。

9.根据权利要求1所述的基于铝-砷化镓结构的宽波段光完美吸收器，其特征在于：所述砷化镓颗粒的图案形状大小相同，砷化镓颗粒的尺寸大小包括直径范围为200nm～600nm、厚度范围为20nm～100nm。

10.根据权利要求1所述的基于铝-砷化镓结构的宽波段光完美吸收器，其特征在于：所述铝膜层其厚度大于等于50nm。

11.根据权利要求10所述的基于铝-砷化镓结构的宽波段光完美吸收器，其特征在于：所述铝膜层其厚度为50nm～200nm。