[发明专利]晶边刻蚀机台的校准方法有效
| 申请号： | 201710597336.4 | 申请日： | 2017-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN107342254B | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 刘孟勇 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种晶边刻蚀机台的校准方法，包括提供测试晶圆，所述测试晶圆上形成有一氧化层；对所述测试晶圆的氧化层进行晶边刻蚀，形成晶边刻痕；量测晶边刻痕与晶片侧壁的平行度，得到晶边刻痕的圆心；将所述晶边刻痕的圆心与所述测试晶圆的圆心进行对比，并判断其距离是否符合控制要求。相较于现有技术来说，本发明提供的晶边刻蚀机台的校准方法步骤更少，减少了出现测量失败的情况，进而提高了对准效率，并且比现有技术的测量精度更高。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 机台 校准 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶边刻蚀机台的校准方法，其特征在于，所述晶边刻蚀机台的校准方法包括：提供测试晶圆，所述测试晶圆上形成有一氧化层；对所述测试晶圆的氧化层进行晶边刻蚀，形成晶边刻痕；量测所述晶边刻痕与所述测试晶圆侧壁的平行度，以得到所述晶边刻痕的圆心；将所述晶边刻痕的圆心与所述测试晶圆的圆心进行对比，并判断所述晶边刻痕的圆心与所述测试晶圆的圆心之间的距离是否符合控制要求。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
