[发明专利]形成堆叠式封装结构的方法在审
| 申请号： | 201710594258.2 | 申请日： | 2017-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN107978532A | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 徐宏欣;王启安 | 申请（专利权）人： | 力成科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 王涛,汤在彦 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种形成堆叠式封装结构的方法。对第一半导体封装体的模封复合物进行激光钻孔，以在模封复合物内形成多个贯穿孔。导电层形成于模封复合物上，以使模封复合物被导电物质所覆盖，且使上述的多个贯穿孔被导电物质所填充。导电层被研磨后，会暴露出模封复合物。第二半导体封装体堆叠在第一半导体封装体上，以使第二半导体封装体的多个金属凸块与填充于多个贯穿孔内的导电物质接触。本发明可减少堆叠式封装结构的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 堆叠 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种形成堆叠式封装结构的方法，其特征在于，包含：对一第一半导体封装体的一模封复合物进行激光钻孔，以在该模封复合物内形成多个贯穿孔；在该模封复合物上形成一导电层，以使该模封复合物被一导电物质所覆盖，并使该导电物质填充于该些贯穿孔内；研磨该导电层，以暴露该模封复合物；以及将一第二半导体封装体堆叠在该第一半导体封装体，以使该第二半导体封装体的多个金属凸块与填充于该些贯穿孔内的该导电物质接触。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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