[发明专利]用于原位晶片边缘和背侧等离子体清洁的系统和方法

摘要

本发明涉及用于原位晶片边缘和背侧等离子体清洁的系统和方法。具体而言，下电极板接收射频功率。第一上板定位成平行于所述下电极板并与其间隔开。接地的第二上板定位成邻近所述第一上板。电介质支承体在所述下电极板与所述第一上板之间的区域中提供对工件的支撑。在所述第一上板的中央位置处供应净化气体。处理气体被供应到所述第一上板的外周。所述电介质支承体将所述工件定位成邻近并平行于所述第一上板，使得所述净化气体流过所述工件的顶面，以便防止处理气体流过所述工件的顶面，并且使所述处理气体绕着所述工件的外周边缘并且在所述工件下方流动。

主权项

一种半导体处理系统，其包括：处理室，所述处理室包括：下电极板；上板，所述上板设置在所述下电极板的上方并且基本上平行于所述下电极板，所述上板具有形成为延伸穿过所述上板的底面的气体供应通道；以及电介质边缘环，所述电介质边缘环具有限定成接触和支撑衬底的底面的外周区域的上表面，所述电介质边缘环形成为围绕所述下电极板并且以可控方式在所述下电极板上方延伸到所述下电极板与所述上板之间的区域中，使得在所述电介质边缘环内侧在所述下电极板的顶表面与对应于所述电介质边缘环的上表面的平面之间的形成下处理区域；导管，所述导管被配置为延伸到所述室中至所述下处理区域；以及远程等离子体源，所述远程等离子体源被配置为在所述室外部产生等离子体的反应成分并且使所述等离子体的反应成分通过所述导管流动到所述下处理区域。