[发明专利]一种以浓硫酸为插层剂制备单层或寡层氮化硼纳米片的方法有效
| 申请号： | 201710587064.X | 申请日： | 2017-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN107151002B | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 袁颂东;朱星;袁泽纬;熊剑;江国栋 | 申请（专利权）人： | 深圳市泽纬科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B21/064 | 分类号： | C01B21/064;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市徽正知识产权代理有限公司 44405 | 代理人： | 李想 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市前海深港合作区前*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种以浓硫酸为插层剂制备单层或寡层氮化硼纳米片的方法，包括如下步骤：室温下，将市售的块体氮化硼原料与浓硫酸均匀混合，搅拌，使浓硫酸插入氮化硼层间，得到均匀混合溶液；将均匀混合溶液快速倒入定量超纯水中，进行超声分散，得到氮化硼分散液；将氮化硼分散液经抽滤，洗涤至抽滤液pH值为中性后，再将滤渣均匀地分散到超纯水中，得到均匀分散液；将均匀分散液静置，去除大块未被剥离的氮化硼，取上层清液，即得到氮化硼纳米片分散液；将氮化硼纳米片分散液中的氮化硼纳米片分离出来，干燥，即得到产品氮化硼纳米片。本发明具有反应设备简单、反应时间短、成本低、产率高、环境友好、易于规模化生产、产品质量好等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硫酸 插层剂 制备 单层 氮化 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种以浓硫酸为插层剂制备单层或寡层氮化硼纳米片的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)室温下，将市售的块体氮化硼原料与浓硫酸均匀混合，搅拌，使浓硫酸插入氮化硼层间，得到均匀混合溶液；(2)搅拌结束后，将均匀混合溶液快速倒入定量超纯水中，进行超声分散，得到氮化硼分散液；(3)将氮化硼分散液经抽滤，洗涤至抽滤液pH值为6～8后，再将滤渣均匀地分散到超纯水中，得到均匀分散液；(4)将均匀分散液静置，去除大块未被剥离的氮化硼，取上层清液，即得到氮化硼纳米片分散液；(5)将氮化硼纳米片分散液中的氮化硼纳米片分离出来，干燥，即得到产品氮化硼纳米片；所述块体氮化硼原料的粒径为5～7μm，所述块体氮化硼原料与浓硫酸的混合比为：每1mL浓硫酸中加入0.01～0.30g块体氮化硼原料；所述搅拌为磁力搅拌，转速为200～2000rpm，搅拌时间为3～24h。
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