[发明专利]一种以浓硫酸为插层剂制备单层或寡层氮化硼纳米片的方法

权利要求书

1.一种以浓硫酸为插层剂制备单层或寡层氮化硼纳米片的方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)室温下，将市售的块体氮化硼原料与浓硫酸均匀混合，搅拌，使浓硫酸插入氮化硼层间，得到均匀混合溶液；

(2)搅拌结束后，将均匀混合溶液快速倒入定量超纯水中，进行超声分散，得到氮化硼分散液；

(3)将氮化硼分散液经抽滤，洗涤至抽滤液pH值为6～8后，再将滤渣均匀地分散到超纯水中，得到均匀分散液；

(4)将均匀分散液静置，去除大块未被剥离的氮化硼，取上层清液，即得到氮化硼纳米片分散液；

(5)将氮化硼纳米片分散液中的氮化硼纳米片分离出来，干燥，即得到产品氮化硼纳米片；所述块体氮化硼原料的粒径为5～7μm，所述块体氮化硼原料与浓硫酸的混合比为：每1mL浓硫酸中加入0.01～0.30g块体氮化硼原料；

所述搅拌为磁力搅拌，转速为200～2000rpm，搅拌时间为3～24h。

2.根据权利要求1所述的以浓硫酸为插层剂制备单层或寡层氮化硼纳米片的方法，其特征在于，所述超声分散的时间为10～60min，超声功率为150W。

3.根据权利要求1所述的以浓硫酸为插层剂制备单层或寡层氮化硼纳米片的方法，其特征在于，所述静置的时间为12～72h。

4.根据权利要求1所述的以浓硫酸为插层剂制备单层或寡层氮化硼纳米片的方法，其特征在于，所述干燥的温度为40～80℃，时间6～12h。