[发明专利]具有场电极的功率半导体器件有效
| 申请号： | 201710585097.0 | 申请日： | 2017-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN107634091B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;杜荔南 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种功率半导体器件包括：半导体主体，被配置成在功率半导体器件的第一负载端子和第二负载端子之间传导负载电流；源极区、沟道区和漂移体积，均被包括在半导体主体中，源极区被电连接至第一负载端子并且沟道区使源极区与漂移体积隔离；半导体区域，被包括在半导体主体中并且将漂移体积耦合至第二负载端子，在半导体区域和漂移体积之间建立第一过渡；控制电极，与半导体主体和负载端子中的每一个都绝缘并且被配置成控制沟道区中的负载电流的路径；以及沟槽，沿着延伸方向延伸到漂移体积中并且包括场电极。场电极的欧姆电阻大于控制电极的欧姆电阻。进一步地，场电极和第一过渡之间的距离占漂移体积在延伸方向上的总延伸的至少70%。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电极 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件（1），包括：‑ 半导体主体（10），其被配置成在功率半导体器件（1）的第一负载端子（11）和第二负载端子（12）之间传导负载电流；‑ 源极区（101）、沟道区（102）和漂移体积（100），均被包括在半导体主体（10）中，该源极区（101）被电连接至第一负载端子（11）并且该沟道区（102）使源极区（101）与漂移体积（100）隔离；‑ 半导体区域（108），其被包括在半导体主体（10）中并且将漂移体积（100）耦合至第二负载端子（12），在半导体区域（108）和漂移体积（100）之间建立第一过渡（1008）；‑ 控制电极（131），其与半导体主体（10）和负载端子（11、12）中的每一个都绝缘并且被配置成控制沟道区（102）中的负载电流的路径；‑ 沟槽（14），其沿着延伸方向（Z）延伸到漂移体积（100）中并且包括场电极（141），其中：‑ 该场电极（141）的欧姆电阻（RFP）大于控制电极（131）的欧姆电阻（RG）；并且‑ 该场电极（141）和第一过渡（1008）之间的距离（D）占漂移体积（100）在延伸方向（Z）上的总延伸（TED）的至少70%。
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