[发明专利]具有场电极的功率半导体器件

权利要求书

1.一种功率半导体器件（1），包括：

- 半导体主体（10），其被配置成在功率半导体器件（1）的第一负载端子（11）和第二负载端子（12）之间传导负载电流；

- 源极区（101）、沟道区（102）和漂移体积（100），均被包括在半导体主体（10）中，该源极区（101）被电连接至第一负载端子（11）并且该沟道区（102）使源极区（101）与漂移体积（100）隔离；

- 半导体区域（108），其被包括在半导体主体（10）中并且将漂移体积（100）耦合至第二负载端子（12），在半导体区域（108）和漂移体积（100）之间建立第一过渡（1008）；

- 控制电极（131），其与半导体主体（10）和负载端子（11、12）中的每一个都绝缘并且被配置成控制沟道区（102）中的负载电流的路径；

- 沟槽（14），其沿着延伸方向（Z）延伸到漂移体积（100）中并且包括场电极（141），其中：

- 该场电极（141）的欧姆电阻（R_FP）大于控制电极（131）的欧姆电阻（R_G）；并且

- 该场电极（141）和第一过渡（1008）之间的距离（D）占漂移体积（100）在延伸方向（Z）上的总延伸（TED）的至少70%。

2.一种功率半导体器件（1），包括：

- 半导体主体（10），其被配置成在功率半导体器件（1）的第一负载端子（11）和第二负载端子（12）之间传导负载电流；

- 源极区（101）、沟道区（102）和漂移体积（100），均被包括在半导体主体（10）中，该源极区（101）被电连接至第一负载端子（11）并且该沟道区（102）使源极区（101）与漂移体积（100）隔离，其中至少该漂移体积（100）沿着延伸方向（Z）的总延伸（TED）限定半导体器件（1）的阻断电压；

-控制电极（131），其与半导体主体（10）和负载端子（11、12）中的每一个都绝缘并且被配置成控制沟道区（102）中的负载电流的路径；

- 沟槽（14），其沿着延伸方向（Z）延伸到漂移体积（100）中并且包括通过场绝缘体（142）与漂移体积（100）隔离的场电极（141），其中：

- 该场电极（141）的欧姆电阻（R_FP）大于控制电极（131）的欧姆电阻（R_G）；并且

- 该场绝缘体（142）沿着第一横向方向（X）的第一厚度（TX）和该场绝缘体（142）沿着延伸方向（Z）的第二厚度（TZ）中的至少一个相当于小于阻断电压乘以因子2 nm/V。

3.根据权利要求1或2所述的功率半导体器件（1），进一步包括：

- 第一路径（15），其使场电极（141）与功率半导体器件（1）的第一负载端子（11）和控制端子（13）之一电连接；以及

- 第二路径（16），其使控制电极（131）与控制端子（13）电连接。

4.根据权利要求3所述的功率半导体器件（1），其中：

- 欧姆场电极电阻（R_FP）等于第一路径（15）的内部电阻（R_{FP, int}）与场电极的分布电阻（R_{FP, dist}）的总和；并且

- 欧姆控制电极电阻（R_G）仅相当于控制电极（131）的分布电阻（R_{G, dist}）并且不包括由在第二路径（16）中提供的欧姆电阻器（133）构成的内部电阻（R_{G, int}）。

5.根据权利要求4所述的功率半导体器件（1），其中：

- 场电极的分布电阻（R_{FP, dist}）至少由布置在沟槽（14）中的场电极（141）的部分构成；

- 并且控制电极的分布电阻（R_{G, dist}）至少由控制负载电流的路径的控制电极（131）的部分构成。

6.根据权利要求4所述的功率半导体器件（1），其中该欧姆场电极电阻（R_FP）被配置成减弱振铃。