[发明专利]一种基于锶铟氧化物的薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201710581574.6 | 申请日： | 2017-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN107546262A | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;曾勇;姚日晖;刘贤哲;胡诗犇;郑泽科;章红科;徐苗;王磊;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/06;H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种基于锶铟氧化物的薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由衬底上依次设置的栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极构成；所述有源层为锶铟氧化物，即在In2O3中以一定比例掺杂SrO。本发明采用锶铟氧化物作为有源层，仅需要非常低的退火温度就能够大幅度地提升电子的传输效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于锶铟氧化物的薄膜晶体管，由衬底上依次设置的栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极构成；其特征在于：所述有源层为锶铟氧化物，即在In2O3中以一定比例掺杂SrO。
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