[发明专利]一种基于锶铟氧化物的薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201710581574.6 | 申请日： | 2017-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN107546262A | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;曾勇;姚日晖;刘贤哲;胡诗犇;郑泽科;章红科;徐苗;王磊;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/06;H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于锶铟氧化物的薄膜晶体管，由衬底上依次设置的栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极构成；其特征在于：所述有源层为锶铟氧化物，即在In2O3中以一定比例掺杂SrO。
2.根据权利要求1所述的一种基于锶铟氧化物的薄膜晶体管，其特征在于：所述锶铟氧化物的掺杂比例为SrO/In2O3：10/90wt％。
3.根据权利要求1所述的一种基于锶铟氧化物的薄膜晶体管，其特征在于：所述源漏电极的材料为Au、Ag、Cu或Al。
4.权利要求1～3任一项所述的一种基于锶铟氧化物的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于包括如下制备步骤：
(1)在衬底上先制备栅极；
(2)通过阳极氧化的方法将部分栅极氧化为绝缘的氧化物，作为栅极绝缘层；
(3)通过脉冲激光沉积的方法在栅极绝缘层上表面生长一层锶铟氧化物作为有源层；
(4)通过磁控溅射、真空蒸镀或PLD的方法沉积源漏电极，最后将所得器件在空气气氛下进行100～200℃退火处理0.5～1.5h，得到所述基于锶铟氧化物的薄膜晶体管。
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