[发明专利]分布反馈半导体激光芯片及其制备方法、光模块有效
| 申请号： | 201710580771.6 | 申请日： | 2017-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN107230931B | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 方瑞禹;徐晓颖 | 申请（专利权）人： | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/34 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 266555 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明实公开了一种分布反馈半导体激光芯片及其制备方法、光模块，具体的，在一个激光芯片中设计两个或两个以上的宽度不同的有源区，并且各有源区上的光栅通过解离形成的光栅端面相位相同。由于激光器的有效折射率Neff由有源区材料、宽度、厚度等因素决定，因此芯片中的其它因素相同的前提下，上述有源区宽度不同的芯片单元对应的有效折射率Neff也不同。同时，DFB激光器输出波长受Neff影响，所以激光芯片中有源区宽度的变化，最终引起各有源区输出波长的变化。进一步的，波长不同的两个激光器，在相同的光栅端面相位下，边摸抑制比也不同，因此，可以从一个芯片的各有源区对应的芯片单元中挑选出边摸抑制比性能更优越的单元进行封装，提高芯片良率。 | ||
| 搜索关键词： | 分布 反馈 半导体 激光 芯片 及其 制备 方法 模块 | ||
【主权项】：
一种分布反馈半导体激光芯片，其特征在于，包括：基板；设于所述基板上的第一有源区和第二有源区，其中，所述第一有源区和第二有源区的宽度不相同；以及，设于所述第一有源区上的第一光栅，所述第一有源区发出的光在所述第一光栅处发生布拉格反射；设于所述第二有源区上的第二光栅，所述第二有源区发出的光在所述第二光栅处发生布拉格反射；所述第一光栅和所述第二光栅通过解离所形成的光栅端面相位相同。
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