[发明专利]一种高导电性石墨烯薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201710579772.9 | 申请日： | 2017-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN107403658B | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 彭海琳;党文辉;邓兵 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00;B32B9/04;B32B15/04;B32B15/20;B32B27/36 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;王春霞 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高导电性石墨烯薄膜及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：沿载气的气流方向，将石墨烯薄膜/铜箔复合膜结构和聚丙烯腈纤维膜/铜箔复合膜结构依次置于石英腔体中，通入载气并升温，在真空条件下进行气相反应，即得到高导电性石墨烯薄膜；石墨烯薄膜/铜箔复合膜结构为铜箔与包覆于铜箔表面上的石墨烯薄膜的复合结构；聚丙烯腈纤维膜/铜箔复合膜为铜箔与包覆于铜箔表面上的聚丙烯腈纤维膜的复合结构。本发明工艺简单易行，所涉及到的静电纺丝、低压CVD都是成熟的技术。气相化学反应对石墨烯薄膜的功能化非常高效且均一。本发明获得的功能化石墨烯薄膜的导电性能提高了40％以上，非常显著，而对石墨烯薄膜的透光性影响非常小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电性 石墨 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高导电性石墨烯薄膜的制备方法，包括如下步骤：沿载气的气流方向，将聚丙烯腈纤维膜/铜箔复合膜结构和石墨烯薄膜/铜箔复合膜结构依次置于石英腔体中，通入所述载气并升温至300～600℃，在真空条件下进行气相反应，即得到高导电性石墨烯薄膜；所述石墨烯薄膜/铜箔复合膜结构为铜箔与包覆于所述铜箔表面上的石墨烯薄膜的复合结构；所述聚丙烯腈纤维膜/铜箔复合膜为铜箔与包覆于所述铜箔表面上的聚丙烯腈纤维膜的复合结构。
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