[发明专利]一种高导电性石墨烯薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201710579772.9 | 申请日： | 2017-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN107403658B | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 彭海琳;党文辉;邓兵 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00;B32B9/04;B32B15/04;B32B15/20;B32B27/36 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;王春霞 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 导电性 石墨 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高导电性石墨烯薄膜的制备方法，包括如下步骤：
沿载气的气流方向，将聚丙烯腈纤维膜/铜箔复合膜结构和石墨烯薄膜/铜箔复合膜结构依次置于石英腔体中，通入所述载气并升温至300～600℃，在真空条件下进行气相反应，即得到高导电性石墨烯薄膜；
所述石墨烯薄膜/铜箔复合膜结构为铜箔与包覆于所述铜箔表面上的石墨烯薄膜的复合结构；
所述聚丙烯腈纤维膜/铜箔复合膜为铜箔与包覆于所述铜箔表面上的聚丙烯腈纤维膜的复合结构。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述载气为惰性气体；
所述载气的流量为500～1000sccm；
所述升温的速率为5～10℃/min。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：所述气相反应的时间为10～60分钟。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述气相反应在低压CVD装置中进行；
所述真空条件的真空度小于5Pa。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：采用化学气相沉积法在所述铜箔的表面生长所述石墨烯薄膜。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：采用静电纺丝的方法在所述铜箔的表面制备所述聚丙烯腈纤维膜。
7.权利要求1-6中任一项所述方法制备的高导电性石墨烯薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710579772.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种UV导电银浆配方及其制备方法
- 下一篇：FFC线结构及其制造方法
