[发明专利]一种GaNFinFETHEMT器件在审
| 申请号： | 201710579176.0 | 申请日： | 2017-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN107564960A | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 倪炜江;袁俊;李百泉;张敬伟;李明山;孙安信 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN FinFET HEMT器件，所述GaN FinFET HEMT器件的栅结构采用了三维立体FinFET栅结构，即芯片有源区表面具有规则有序的台面和凹槽，在台面的顶部、底部和侧壁区域都具有栅结构，并且在这三个区域也都具有源、漏极。本发明利用比较成熟的衬底台面刻蚀技术，通过在衬底上规则有序的刻蚀台面结构，在台面结构表面上生长GaN外延层，再进行器件制作工艺，形成三维立体的FinFET栅结构。本发明可以有效增加单位面积的栅宽，突破当前二维栅结构下的电流密度的限制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ganfinfethemt 器件 | ||
【主权项】：
一种GaN FinFET HEMT器件，其特征在于，所述GaN FinFET HEMT器件的栅结构采用了三维立体FinFET栅结构，即芯片有源区表面具有规则有序的台面和凹槽，在台面的顶部、底部和侧壁区域都具有栅结构，并且在这三个区域也都具有源、漏极。
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