[发明专利]一种GaNFinFETHEMT器件在审
| 申请号： | 201710579176.0 | 申请日： | 2017-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN107564960A | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 倪炜江;袁俊;李百泉;张敬伟;李明山;孙安信 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ganfinfethemt 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaN FinFET HEMT器件，其特征在于，所述GaN FinFET HEMT器件的栅结构采用了三维立体FinFET栅结构，即芯片有源区表面具有规则有序的台面和凹槽，在台面的顶部、底部和侧壁区域都具有栅结构，并且在这三个区域也都具有源、漏极。
2.根据权利要求1所述的GaN FinFET HEMT器件，其特征在于，所述台面为垂直台面或倾斜台面。
3.根据权利要求1所述的GaN FinFET HEMT器件，其特征在于，所述台面的深度要大于总的外延层的厚度；总的外延层包括GaN缓冲层和GaN沟道层。
4.根据权利要求1所述的GaN FinFET HEMT器件，其特征在于，所述GaN FinFET HEMT器件包括MES HEMT、MOS沟道HEMT和MIS-HEMT。
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