[发明专利]一种钽酸锂窄带探测器及其制备方法有效
申请号: | 201710579047.1 | 申请日: | 2017-07-17 |
公开(公告)号: | CN107478342B | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 易飞;谈小超;李君宇;甘如雷;陈宇瑶;郭颂;杨奥;蒋顺 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G01J5/20 | 分类号: | G01J5/20;G01J3/42;G01J9/00 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 王世芳;李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种钽酸锂窄带探测器及其制备方法,属于热释电红外探测器领域。探测器包括探测器本体和电磁超表面结构,电磁超表面结构设置在探测器本体上,其中,探测器本体包括从下至上设置的硅底座支撑、下电极、钽酸锂晶片、上电极,电磁超表面结构包括自下而上设置金背板、介质层以及天线,其中,金背板与上电极为同一物体,两者共用。本发明还提供了钽酸锂窄带探测器的制备方法,本发明采用超表面技术对传统的热释电探测器没有波长选择性的缺陷进行改进,在一定波长范围内能够实现对特定波长的检测,并且简化了红外探测器的制备流程。 | ||
搜索关键词: | 一种 钽酸锂 窄带 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种钽酸锂窄带探测器,其特征在于,其包括探测器本体和电磁超表面结构,电磁超表面结构设置在探测器本体上,其中,探测器本体包括从下至上设置的硅底座支撑(1)、下电极(2)、钽酸锂晶片(3)、上电极(4),电磁超表面结构包括自下而上设置金背板、介质层以及天线,其中,金背板与上电极为同一物体,两者共用。
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