[发明专利]一种钽酸锂窄带探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种钽酸锂窄带探测器，其特征在于，其包括探测器本体和电磁超表面结构，电磁超表面结构设置在探测器本体上，其中，

探测器本体包括从下至上设置的硅底座支撑(1)、下电极(2)、钽酸锂晶片(3)、上电极(4)，

电磁超表面结构包括自下而上设置金背板、介质层以及天线，

其中，金背板与上电极为同一物体，两者共用。

2.如权利要求1所述的一种钽酸锂窄带探测器，其特征在于，所述天线包括十字金天线(7)或者圆盘金天线(8)。

3.如权利要求1所述的一种钽酸锂窄带探测器，其特征在于，所述介质层包括介质层硅(5)或者介质层二氧化硅(6)。

4.如权利要求1所述的一种钽酸锂窄带探测器，其特征在于，电磁超表面结构包括两种，一种是金背板+介质层硅+十字金天线，另一种是金背板+介质层二氧化硅+圆盘金天线。

5.如权利要求1所述的一种钽酸锂窄带探测器，其特征在于，硅底座支撑包括四个四分之一硅柱和硅底座，通过四个四分之一硅柱将电磁超表面结构以及探测器本体的下电极(2)、钽酸锂晶片(3)固定在硅基底上，

四分之一硅柱是指横截面为四分之一圆的柱状体。

6.根据权利要求3所述的一种钽酸锂窄带探测器，其特征在于，所述电磁超表面结构中介质层硅(5)或者介质层二氧化硅(6)的厚度为50nm～500nm。

7.根据权利要求2所述的一种钽酸锂窄带探测器，其特征在于，所述电磁超表面结构中十字金天线(7)或者圆盘金天线(8)的厚度为40nm～70nm。

8.根据权利要求1所述的一种钽酸锂窄带探测器，其特征在于，所述钽酸锂晶片(3)的厚度为70μm～80μm。

9.根据权利要求1所述的一种钽酸锂窄带探测器，其特征在于，所述钽酸锂晶片(3)的厚度为75μm。

10.一种制备如权利要求1-9之一所述钽酸锂窄带探测器的方法，其特征在，其包括如下步骤：

S1：选取钽酸锂晶片衬底，使用电子束蒸发工艺或者磁控溅射工艺在钽酸锂晶片上下方各生长一层金，获得第一半成品；

S2：在上述第一半成品上表面使用磁控溅射工艺或者化学气相沉积工艺生长一层硅或者二氧化硅，获得第二半成品；

S3：在第二半成品上表面旋涂光刻胶，获得第三半成品；

S4：通过电子束曝光工艺，利用设计好的十字金天线版图或者圆盘天线版图对第三半成品的光刻胶面曝光，形成带有十字或者圆盘图案的光刻胶层，从而将图形转移到第三半成品的光刻胶上；

S5：对曝光后第三半成品执行显影处理，留下具有的十字或者圆盘结构的光刻胶层，获得第四半成品；

S6：在第四半成品上，通过电子束蒸发工艺或者磁控溅射工艺生长一层设定厚度的金，获得金天线；

S7：利用丙酮对生长金天线之后的样品进行剥离处理，以清除多余光刻胶,获得第五半成品；

S8：将第五半成品用四个四分之一硅柱固定在硅底座上，并进行封装，至此获得钽酸锂窄带探测器。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，通过调整十字金天线的棒长或者圆盘天线的半径可实现探测器对不同波段波长的吸收。