[发明专利]半导体激光器的腔面制备方法及其腔面制备装置在审
| 申请号： | 201710572640.3 | 申请日： | 2017-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN107230932A | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 王鑫;赵懿昊;朱凌妮;王翠鸾;刘素平;马骁宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/18 | 分类号： | H01S5/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体激光器的腔面制备方法及其腔面制备装置，其中方法包括以下步骤将划有解理线的晶片放入解理腔，解理腔根据解理线，解理得到至少一个bar条；将至少一个bar条传送至钝化腔，以对每一个bar条的两个腔面钝化；将上述至少一个bar条传送至镀膜腔，对其每一个的两个腔面分别蒸镀高反膜和高透膜，完成半导体激光器的腔面制备；其中，解理腔、钝化腔及镀膜腔均处于真空状态。本发明在真空条件下对半导体激光器进行解理和钝化，并在真空中直接蒸镀半导体激光器前后腔面的光学膜，可有效避免其与空气接触、避免新解理的腔面被空气中的氧和碳等杂质所污染，避免腔面形成表面态，从而可有效抑制腔面光学灾变的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 制备 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器的腔面制备方法，包括以下步骤：步骤1、将划有解理线的晶片放入解理腔，所述解理腔根据所述解理线，解理得到至少一个bar条；步骤2、将所述至少一个bar条传送至钝化腔，以对每一个所述bar条的两个腔面钝化；步骤3、将步骤2中的所述至少一个bar条传送至镀膜腔，以对每一个所述bar条的两个腔面分别蒸镀高反膜和高透膜，完成所述半导体激光器的腔面制备；其中，所述解理腔、钝化腔、镀膜腔及整个传送过程所处环境均为真空状态。
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