[发明专利]一种倒楔形体陷光结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201710568412.9 | 申请日： | 2017-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN107546284A | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 郭小伟;王大帅;徐文龙;张娟;李绍荣;杨承 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种能提升薄膜硅太阳能电池效率的周期性倒楔形体陷光结构，整体为周期单元陷光结构组成，每个单元由倒楔形体构成，在单元陷光结构之上覆盖着一层透明钝化膜。倒楔形体其侧面与硅表面均成54.7°夹角，倒楔形体的上底面长与宽不同，其下底面为一条与上底面平行的线。本发明提出的这种结构易于加工，而且具有角谱范围大和光谱吸收高的特点，有利于提高薄膜硅电池的吸光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 楔形 体陷光 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种能提升薄膜硅电池效率的周期性倒楔形体结构，其特征在于，该结构具有：抗反射结构体，表面有周期性的倒楔形体结构；以及透明钝化膜，形成在上述倒楔形体结构上；倒楔形体其侧面与硅表面均成54.7°夹角，倒楔形体的上底面长与宽不同，其下底面为一条与上底面平行的线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
