[发明专利]一种倒楔形体陷光结构及其制备方法

权利要求书

1.一种能提升薄膜硅电池效率的周期性倒楔形体结构，其特征在于，该结构具有：

抗反射结构体，表面有周期性的倒楔形体结构；以及透明钝化膜，形成在上述倒楔形体结构上；

倒楔形体其侧面与硅表面均成54.7°夹角，倒楔形体的上底面长与宽不同，其下底面为一条与上底面平行的线。

2.根据权利要求1所述的陷光结构，其中，

上述周期结构可以呈多种晶格状配置，包括但不限于斜晶格、正方晶格、矩形晶格，晶格基矢大小和夹角可以改变。

3.一种周期性倒楔形体陷光结构的制备方法，其特征在于，该周期性倒楔形体的制造方法具有以下工序：

使用两步干涉光刻方法结合各向异性湿法刻蚀方法制造表面具有周期性倒楔形体陷光结构的工序，以及，

在上述周期性倒楔形体陷光结构上形成钝化层的工序。

4.根据权利要求3所述的周期性倒楔形体陷光结构的制作方法，其中，

使用干涉方法制造表面具有周期性倒楔形体的陷光结构的工序，

包含以下步骤：

在硅片上形成合适厚度的氧化硅薄膜的步骤；

在基底上形成抗蚀剂薄膜的步骤；

在该抗蚀剂薄膜上进行干涉光刻曝光，在抗蚀剂薄膜上留下周期性的椭圆孔洞阵列光强信息；

干涉光刻的方法包括但不限于双光束两步干涉、双光束四步干涉、三光束干涉等；

在上述条纹曝光之后使上述抗蚀剂薄膜显影成掩膜的步骤；

以抗蚀剂为掩膜，在氧化硅薄膜上刻蚀出周期性阵列的步骤；

以氧化硅薄膜周期性阵列为掩膜在硅上刻蚀出周期性倒楔形体的步骤。