[发明专利]刻蚀管控系统及其管控方法和刻蚀机台有效

专利信息
申请号: 201710567416.5 申请日: 2017-07-12
公开(公告)号: CN107369638B 公开(公告)日: 2020-11-27
发明(设计)人: 冯宇培;仓凌盛;张传民 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 智云
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种刻蚀管控系统及其管控方法和刻蚀机台。该刻蚀管控系统包括:依次通讯连接的测量模块、处理模块、转换模块以及采集模块。该刻蚀管控方法包括:获取半导体制品上表面膜的初始厚度信息,以及刻蚀液的浓度信息;根据所述刻蚀液的浓度与刻蚀速率之间的映射关系,获取所述刻蚀液的浓度信息对应的刻蚀速率信息;根据所述刻蚀速率信息、所述初始厚度信息,以及所述表面膜的目标厚度信息,获得刻蚀时间,并按所述刻蚀时间对所述半导体制品进行刻蚀。本发明通过设置转换模块和采集模块,并建立刻蚀速率与刻蚀液浓度之间的函数关系,使得刻蚀速率可直接通过测量刻蚀液浓度的方式获得,从而使获得的刻蚀时间更准确,提高了工艺稳定性。
搜索关键词: 刻蚀 系统 及其 方法 机台
【主权项】:
一种刻蚀管控系统,其特征在于,包括依次通讯连接的测量模块、处理模块、转换模块以及采集模块;其中,所述测量模块用于获取半导体制品上一表面膜在被刻蚀液刻蚀之前的初始厚度信息并反馈给所述处理模块,所述表面膜还对应有目标厚度信息;所述采集模块用于获取所述刻蚀液的浓度信息并反馈给所述转换模块;所述转换模块用于根据所述刻蚀液的浓度与刻蚀速率之间的映射关系,获取所述刻蚀液的浓度信息对应的刻蚀速率信息并反馈给所述处理模块;所述处理模块用于根据所述刻蚀速率信息、所述表面膜的初始厚度信息以及目标厚度信息,获取所述半导体制品的刻蚀时间,以根据该刻蚀时间对所述半导体制品进行刻蚀。
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