[发明专利]沟槽式肖特基二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201710564660.6 | 申请日： | 2017-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN107256886A | 公开（公告）日： | 2017-10-17 |
| 发明（设计）人： | 付妮娜 | 申请（专利权）人： | 付妮娜 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/45;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙)44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 441300 湖北省随*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种沟槽式肖特基二极管及其制作方法。所述沟槽式肖特基二极管包括N型衬底、形成于所述N型衬底表面的N型外延层、形成于所述N型外延层中的多个沟槽、形成于每个沟槽内表面的氧化层、形成于所述沟槽中且设置于所述氧化层表面的多晶硅、形成于相邻的两个沟槽之间的N型外延层表面的P型注入区域、及形成于所述氧化层、所述多晶硅及所述P型注入区域上的金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 式肖特基 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽式肖特基二极管，其特征在于：所述沟槽式肖特基二极管包括N型衬底、形成于所述N型衬底表面的N型外延层、形成于所述N型外延层中的多个沟槽、形成于每个沟槽内表面的氧化层、形成于所述沟槽中且设置于所述氧化层表面的多晶硅、形成于相邻的两个沟槽之间的N型外延层表面的P型注入区域、及形成于所述氧化层、所述多晶硅及所述P型注入区域上的金属层。
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