[发明专利]包括初级和二级电晶体的存储单元有效
| 申请号： | 201710551426.X | 申请日： | 2013-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN107331416B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 尤尼亚托·维查亚;韩京宇;本杰明·S·路易 | 申请（专利权）人： | 芝诺半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/404 | 分类号： | G11C11/404;G11C11/409;G11C11/417;H01L27/11524;H01L27/11529 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何冲;黄隶凡 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在此公开半导体存储单元、阵列和操作方法。在一个实例中，一个存储单元包括一个双稳的浮体电晶体和一个记忆体件；其特征在于，上述双稳浮体电晶体和一个记忆体件为串联电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 初级 二级 电晶体 存储 单元 | ||
【主权项】：
具有一个双稳浮体电晶体和一个存取电晶体的半导体存储单元的操作方法，上述的方法包括：施加电压到存取电晶体以打开存取电晶体；和通过启动存取电晶体辅助选取记忆体单元的操作。
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