[发明专利]有机EL显示装置有效
| 申请号： | 201710550820.1 | 申请日： | 2017-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN107785395B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 德田尚纪 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及有机EL显示装置。本发明的课题为即使在将ITO层截断配置的情况下，也能够防止该截断部分上方的有机EL膜的上部电极和下部电极的短路。本发明为有机EL显示装置，具有：ITO层，所述ITO层被截断配置于形成有像素开口的区域；电容绝缘膜，所述电容绝缘膜被配置于所述ITO层上；下部电极，所述下部电极被配置于所述电容绝缘膜上；有机层，所述有机层被配置于所述下部电极上；上部电极，所述上部电极被配置于所述有机层上；和平坦化构件，所述平坦化构件以使得所述下部电极的层差部分的倾斜变得缓和的方式而配置。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 el 显示装置 | ||
【主权项】：
有机EL显示装置，其特征在于，具有：ITO层，所述ITO层被截断配置于形成有像素开口的区域；电容绝缘膜，所述电容绝缘膜被配置于所述ITO层上；下部电极，所述下部电极被配置于所述电容绝缘膜上；有机层，所述有机层被配置于所述下部电极上；上部电极，所述上部电极被配置于所述有机层上；和平坦化构件，所述平坦化构件以使得所述下部电极的层差部分的倾斜变得缓和的方式而配置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
