[发明专利]有机EL显示装置

说明书

本发明涉及有机EL显示装置。本发明的课题为即使在将ITO层截断配置的情况下，也能够防止该截断部分上方的有机EL膜的上部电极和下部电极的短路。本发明为有机EL显示装置，具有：ITO层，所述ITO层被截断配置于形成有像素开口的区域；电容绝缘膜，所述电容绝缘膜被配置于所述ITO层上；下部电极，所述下部电极被配置于所述电容绝缘膜上；有机层，所述有机层被配置于所述下部电极上；上部电极，所述上部电极被配置于所述有机层上；和平坦化构件，所述平坦化构件以使得所述下部电极的层差部分的倾斜变得缓和的方式而配置。

技术领域

本发明涉及有机EL显示装置。

背景技术

有机EL显示装置中，有时利用分割各像素间的凸肋而形成有像素开口。具体而言，例如在上述那样的有机EL显示装置中具有图8及图9所示的构成。需要说明的是，图8表示像素开口周边的截面的一例，图9表示图8的俯视图。此外，图8表示图9的XIII-XIII截面的一例。

如图8及图9所示，在形成有TFT等的阵列基板801上以规定的间隔分开配置有布线802。在形成有该布线802的阵列基板801上形成有平坦化膜803。在该布线802上的平坦化膜803中形成的开口部901上形成有ITO层804。该ITO层804以从布线802延伸至超过像素开口902下部的方式形成。

图8左侧的形成有布线802的区域，在平坦化膜803中形成有开口部901，在该开口部901上，从阵列基板801侧开始按顺序主要层合有ITO层804、电容绝缘膜805、下部电极806、凸肋807、上部电极809、封固膜810。此外，ITO层804和下部电极806经由电容绝缘膜805的开口部901而电连接。在图9右侧的形成有布线802的区域，从阵列基板801侧开始按顺序主要层合有布线802、平坦化膜803、电容绝缘膜805、凸肋807、上部电极809、封固膜810。

在形成有像素开口902的区域，从阵列基板801侧开始按顺序主要层合有平坦化膜803、ITO层804、电容绝缘膜805、有机EL膜808的下部电极806、有机EL膜808、有机EL膜808的上部电极809、封固膜810。需要说明的是，图9中的903表示像素的边界。

发明内容

发明要解决的课题

其中，如图10所示，为了有效地灵活运用形成于上述像素开口902下部的ITO层804，考虑了将图8中示出的ITO层804截断，利用该截断的ITO层111、电容绝缘膜805和下部电极806形成像素电路的保持电容。然而，如图11所示，若将ITO层804截断，则在形成于ITO层111的截断部分的上方的下部电极806中产生层差部分112，该层差部分112中，上部电极809和下部电极806有时短路。

因此，本发明的目的在于实现下述的有机EL显示装置：即使在如上所述地将ITO层截断配置的情况下，也能够防止该截断部分上方的有机EL膜的上部电极和下部电极的短路。

用于解决课题的手段

(1)本发明的有机EL显示装置特征在于，具有：ITO层，所述ITO层被截断配置于形成有像素开口的区域；电容绝缘膜，所述电容绝缘膜被配置于所述ITO层上；下部电极，所述下部电极被配置于所述电容绝缘膜上；有机层，所述有机层被配置于所述下部电极上；上部电极，所述上部电极被配置于所述有机层上；和平坦化构件，所述平坦化构件以使得所述下部电极的层差部分的倾斜变得缓和的方式而配置。

(2)如上述(1)所述的有机EL显示装置，其特征在于，所述平坦化构件是由丙烯酸树脂形成的。

(3)如上述(1)或(2)所述的有机EL显示装置，其特征在于，所述ITO层被所述电容绝缘膜截断，所述层差部分位于所述ITO层的截断部分上方。

(4)如上述(1)至(3)中任一项所述的有机EL显示装置，其特征在于，所述被截断的ITO层中的第一ITO层利用所述下部电极和所述电容绝缘膜形成保持电容。