[发明专利]用于处理从非易失性存储器阵列检索的状态置信度数据的方法和设备有效
| 申请号： | 201710550571.6 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN107368386B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | M.高曼;W.D.特兰;A.S.马德拉斯瓦拉;朴成浩 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10;G11C16/26;G11C16/34;G11C29/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 吕传奇;张涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种设备可包括将从非易失性存储器检索数据的控制器以及可在控制器上操作以在包括许多感测条件的第一组感测条件下读取非易失性存储器的存储器存储单元的纠错模块。该纠错模块进一步可操作用于设定已编码输出中的第一组位，该第一组位包括将指示存储器存储单元的逻辑状态的逻辑状态位和将基于第一组感测条件下的读取结果而指示逻辑状态位的准确度的已编码输出中的一个或多个附加位，该第一组感测条件包括比第一组位更大的数目。公开了其他实施例并要求保护。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 非易失性存储器 阵列 检索 状态 置信 度数 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种其上存储有指令的计算机可读介质，当执行指令时使得计算设备执行以下操作：在包括许多感测条件的第一组感测条件下对非易失性存储器的存储器存储单元进行读取；确定一组基准电压，其标记用于多位存储器存储单元的第一位的逻辑状态之间的过渡；以及执行一组感测测量，每组感测测量包括在跨越围绕该组基准电压的每个基准电压的一定范围的阈值电压的多个感测基准电压下对非易失性存储器进行读取；分配其数目小于感测条件的第一组位将对存储器存储单元进行读取的结果编码为已编码输出；设定已编码输出中的第一组位，该第一组位包括将指示存储器存储单元的逻辑状态的逻辑状态位和将基于第一组感测条件下的读取结果而指示逻辑状态位的准确度的已编码输出中的一个或多个附加位，该第一组感测条件包括比第一组位更大的数目。
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